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IPI023NE7N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：75V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：120A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 273µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：206nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：14400pF @ 37.5V功率 - 最大值：300W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
